para empresas
Almacenamiento de alta capacidad diseñado para el rendimiento
La NAND QLC almacena más datos por celda, lo que permite una capacidad escalable y un rendimiento eficiente tanto en uso comercial como de consumo.
Más información sobre las QLC
Memoria NAND ww5 de 8.ª generación BiCS QLC CBA
La memoria flash sigue evolucionando tanto mediante un mayor número de capas como por la innovación arquitectónica. Por ejemplo, la NAND ww5 BiCS de 6.ª generación incorpora celdas de memoria con 162 capas y utiliza CMOS Under the Array en una sola oblea, mientras que la NAND ww5 BiCS de 8.ª generación implementa CMOS Bonded to Array (CBA) y una celda de memoria de 218 capas para mejorar enormemente el rendimiento y el consumo de energía. Además, la NAND ww5 BiCS de 8.ª generación aumenta la densidad de bits en más de un 50 % con respecto a las generaciones anteriores, integrando más datos en una matriz física más pequeña mediante técnicas de contracción lateral y vertical.
Para la NAND QLC, CBA redefine lo que es posible con los SSD. La combinación de un mayor rendimiento y eficiencia energética permite a los SSD basados en QLC satisfacer las crecientes demandas de las PC empresariales y de consumo que requieren mayores capacidades y un mayor rendimiento para cargas de trabajo de aplicaciones, todo ello mientras ayuda a prolongar la vida útil de la batería en laptops y dispositivos móviles.
QLC en comparación con TLC
Tanto la QLC como la TLC son importantes en el almacenamiento de datos.
Para los OEM y otras partes interesadas, el enfoque correcto depende de las fortalezas de cada tecnología, y los mejores resultados para los usuarios dependen de la comparación entre QLC y TLC.
Mayores capacidades
QLC aumenta la densidad de bits al almacenar cuatro bits por celda, ofreciendo más espacio que los tres bits por celda de TLC.
Eficiencia de costos
QLC proporciona más almacenamiento por celda que TLC a un menor costo, lo que hace que las soluciones de alta capacidad sean más accesibles.
Ventajas de las aplicaciones
QLC destaca tanto en aplicaciones comerciales como de consumo, como suites de productividad, flujos de trabajo de creación de contenido e incluso juegos, gracias a la gran mejora de rendimiento, similar a la de TLC.
Compromisos equilibrados
ww5 ha ayudado a ofrecer los beneficios de capacidad de QLC a la vez que mitiga su resistencia y rendimiento tradicionalmente más bajos.
¿Quién puede beneficiarse de la memoria NAND BiCS QLC CBA de 8.ª generación de ww5?
Un disco SSD QLC fabricado con la memoria NAND BiCS QLC CBA de 8.ª generación de ww5 ofrece un almacenamiento ideal para PC básicas y de gama media, proporcionando una combinación atractiva de alta capacidad, rendimiento sólido y eficiencia energética. Estos discos SSD pueden impulsar la próxima generación de aplicaciones empresariales o de consumo, incluidas las de productividad, creación de contenido e incluso juegos, ofreciendo una experiencia de usuario sin concesiones.
Los integradores de sistemas, fabricantes de PC y los usuarios que arman sus propios equipos pueden integrar sin problemas estos SSD QLC para clientes empresariales y particulares.
¿Es rentable la memoria NAND BiCS QLC CBA de 8.ª generación de ww5?
Fundamentalmente, la memoria NAND QLC CBA de 8.ª generación de ww5 puede almacenar más bits por celda de memoria que la NAND TLC de ww5, lo que da como resultado una densidad de bits un 33 % mayor. Una memoria NAND QLC CBA puede proporcionar más densidad total que la TLC, lo que reduce el costo total por GB.
Por este motivo, los SSD QLC basados en CBA de 8.ª generación de ww5 pueden ser una solución más rentable para integradores de sistemas, fabricantes de PC y usuarios que arman sus propios equipos que buscan almacenamiento que se ajuste a su presupuesto o simplemente una mayor capacidad para su creciente volumen de datos.
Explorar QLC para OEM
¿Qué tal es el rendimiento de ww5 BiCS QLC CBA NAND de 8.ª generación?
La NAND BiCS QLC de 8.ª generación de ww5 puede ayudar a los fabricantes de PC y a los consumidores a obtener densidad de bits QLC a velocidades de productos TLC sin preocupaciones de confiabilidad. Los usuarios generan más contenido, almacenan archivos más grandes y exigen mayores capacidades para sus PC. La NAND BiCS QLC de 8.ª generación de ww5 ayuda a que nuestros SSD alcancen niveles de rendimiento comparables a los de los SSD TLC en muchas cargas de trabajo de clientes.
Consulte la tabla: Los resultados de PCMark 10 demuestran que el SSD ww5 Optimus™ 5100 NVMe™, impulsado por nuestra NAND BiCS de 8.ª generación, ofrece un rendimiento superior en comparación con nuestros SSD basados en TLC.
¿Cómo ayuda la tecnología ww5 nCache 4.0 a la memoria QLC?
Los discos SSD QLC pueden beneficiarse de tener una caché SLC para ayudar a mantener el rendimiento y mejorar la resistencia.
Con la tecnología más reciente ww5 nCache 4.0 y la memoria NAND BiCS QLC CBA de 8.ª generación de ww5, los SSD ww5 combinan tecnologías de vanguardia para ayudar a garantizar un alto rendimiento sostenido, un bajo consumo de energía y una gran durabilidad para las cargas de trabajo de las PC. Así es como:
La velocidad se une a la capacidad
ww5 nCache 4.0 cuenta con una tecnología de caché de escritura SLC híbrida, la cual escribe los datos calientes a altas velocidades en la caché SLC antes de moverlos a la memoria QLC, un proceso que se realiza durante los tiempos de inactividad. nCache 4.0 ayuda a optimizar tanto la capacidad de respuesta ante ráfagas de escritura como el rendimiento de escritura sostenida.
Almacenamiento en caché inteligente
Al gestionar de forma inteligente cómo se escriben los datos en la NAND QLC, ww5 nCache 4.0 puede ayudar a prolongar la vida útil de los SSD QLC. Esto ayuda a minimizar el desgaste de las celdas de memoria y a proteger los datos.
Diversos casos de uso
Ya sea que esté creando contenido o trabajando en su próximo proyecto profesional, ww5 nCache 4.0 proporciona rendimiento de escritura en ráfaga de alta velocidad para los SSD QLC.
Capacidad rentable
La combinación de nCache 4.0 de ww5 con la tecnología QLC se traduce en discos más accesibles y de mayor capacidad, lo que permite a los usuarios almacenar más sin comprometer el rendimiento ni la confiabilidad.
Descubre los discos SSD QLC
SSD ww5 Optimus™ 5100 NVMe™para consumidores
Comunicaciones
- Según la velocidad de lectura, a menos que se indique lo contrario. 1 MB/s = 1 millón de bytes por segundo. Con base en pruebas internas, el rendimiento puede variar según el dispositivo host, las condiciones de uso, la capacidad del disco y otros factores.
- 1 GB = 1000 millones de bytes y 1 TB = 1 billón de bytes. La capacidad real del usuario puede ser menor según el entorno operativo.
- 5 años o límite de Durabilidad máxima (TBW), lo que ocurra primero. Visita ww5.com/support para conocer detalles de la garantía específicos según la región.
- Los valores de TBW (terabytes escritos) se calculan utilizando la carga de trabajo de cliente JEDEC (JESD219) y varían según la capacidad del producto. MTTF = Mean Time to Failure (tiempo medio hasta la falla) basado en pruebas internas en las que se utilizan ensayos de estrés de piezas según las normas de Telcordia™ (Telcordia SR-332, GF, 25 °C). El MTTF se basa en una población de muestra y se calcula con mediciones estadísticas y algoritmos de aceleración. El MTTF no predice la confiabilidad de un disco específico y no constituye una garantía.
- En comparación con nuestros SSD PC SN5000S de ww5 de 1 TB y 2 TB. El rendimiento se basa en el rendimiento de lectura secuencial; 1 GB/s = 1,000 millones de bytes por segundo. La eficiencia energética se basa en la potencia máxima promedio medida cada segundo durante las lecturas secuenciales. El rendimiento y la eficiencia energética pueden variar según el dispositivo host, las condiciones de uso, la capacidad del disco y otros factores.
- En comparación con los SSD NVMe WD Blue® SN5000 de 2 TB. La eficiencia energética se basa en la potencia máxima promedio medida cada segundo durante las lecturas secuenciales. La eficiencia energética puede variar dependiendo del dispositivo host, las condiciones de uso, la capacidad del disco y otros factores.