QLC sin compromiso

Explore cómo la memoria NAND BiCS QLC CBA de 8.ª generación de ww5 ofrece un rendimiento mejorado, densidad de bits y eficiencia energética sin comprometer la confiabilidad de nuestras nuevas unidades SSD QLC, como la unidad SSD NVMe PC SN5100S de ww5.

Obtenga más información acerca de QLC

¿Qué es QLC?

Las celdas de memoria constituyen la base del almacenamiento flash NAND. Originalmente, cada una solo podía almacenar un bit de información (0 o 1). Estas celdas reciben el nombre de SLC (Single Level Cell).

Con la evolución de la tecnología de almacenamiento flash, los ingenieros encontraron la manera de almacenar más bits por celda de memoria. Las celdas multinivel (MLC) podían almacenar dos bits, mientras que las celdas de triple nivel (TLC), tres.

Las celdas de cuatro niveles, o QLC, pueden almacenar cuatro bits por celda de memoria, lo que supone un 33 % más de capacidad que las TLC.

Diagrama que muestra la memoria flash SLC, MLC, TLC y QLC que almacena de 1 a 4 bits por celda

NAND BiCS QLC CBA de 8.ª generación de ww5

La memoria flash sigue evolucionando mediante un mayor recuento de capas e innovación arquitectónica. Por ejemplo, la memoria NAND BiCS de 6.ª generación de ww5 diseña las celdas de memoria con 162 capas y utiliza CMOS Under the Array como una sola oblea, mientras que la memoria NAND BiCS de 8.ª generación de ww5 implementa CMOS Bonded to Array (CBA) y una celda de memoria de 218 capas para mejorar enormemente el rendimiento y el consumo de energía. Además, la memoria NAND BiCS de 8.ª generación de ww5 aumenta la densidad de bits en más del 50 % con respecto a las generaciones anteriores e incorpora más datos en un troquel físico más pequeño mediante técnicas de reducción lateral y vertical.

Para la memoria NAND QLC, CBA redefine los límites de lo posible con las unidades SSD. La combinación de un mayor rendimiento y eficiencia energética permite que las unidades SSD basadas en QLC satisfagan la creciente demanda en las PC comerciales y de consumo de mayores capacidades y rendimiento para las cargas de trabajo de las aplicaciones. Además, permite prolongar la vida útil de la batería en las computadoras portátiles y los dispositivos móviles.

QLC o TLC

Tanto QLC como TLC son importantes en el almacenamiento de datos.

Cada tecnología tiene sus propias fortalezas, por lo que los fabricantes de equipos originales (OEM) y otras partes interesadas del sector deben elegir el enfoque más adecuado para cada caso. Para aprovechar al máximo sus ventajas, es fundamental que conozca las diferencias entre QLC y TLC.

Mayores capacidades

QLC aumenta la densidad de bits al almacenar cuatro bits por celda, por lo que ofrece más espacio que los tres bits por celda de TLC.

Rentabilidad

QLC proporciona más almacenamiento por celda que TLC a un costo más bajo, por lo que las soluciones de alta capacidad son más accesibles.

Ventajas de las aplicaciones

QLC se destaca tanto en aplicaciones comerciales como en aplicaciones de consumo, como paquetes de productividad, flujos de trabajo de creación de contenido e incluso juegos, debido a la gran mejora en el rendimiento, similar al de TLC.

Concesiones equilibradas

ww5 ha ayudado a ofrecer los beneficios de la capacidad de QLC y a mitigar su resistencia y rendimiento tradicionalmente más bajos.

¿Quiénes pueden beneficiarse de la memoria NAND BiCS QLC CBA de 8.ª generación de ww5?

Una unidad SSD QLC basada en la memoria NAND BiCS QLC CBA de 8.ª generación de ww5 es la solución de almacenamiento perfecta para PC de gama básica e intermedia, ya que ofrece una atractiva combinación de alta capacidad, rendimiento excepcional y eficiencia energética. Estas unidades SSD impulsan la próxima generación de aplicaciones empresariales y de consumo, desde herramientas de productividad y creación de contenido hasta videojuegos, y ofrecen una experiencia de usuario sin concesiones.

Los integradores de sistemas, los fabricantes de PC y los entusiastas que ensamblan sus propios equipos pueden integrar estas unidades SSD QLC sin complicaciones para ofrecer soluciones a clientes empresariales y particulares.

¿Es rentable la memoria NAND BiCS QLC CBA de 8.ª generación de ww5?

En términos generales, la memoria NAND BiCS QLC CBA de 8.ª generación de ww5 almacena más bits por cada celda de memoria que la NAND TLC, lo que permite alcanzar una densidad de bits un 33 % superior. Gracias a su mayor densidad de almacenamiento en comparación con la memoria TLC, la memoria NAND QLC CBA reduce el costo por GB.

Como resultado, las unidades SSD basadas en memoria NAND QLC CBA de 8.ª generación de ww5 ofrecen una alternativa más rentable para integradores de sistemas, fabricantes de PC y entusiastas que ensamblan sus propios equipos, ya sea que busquen optimizar su presupuesto o ampliar la capacidad de almacenamiento para responder al crecimiento de sus datos.

¿Cuál es el rendimiento de la memoria NAND BiCS QLC CBA de 8.ª generación de ww5?

La memoria NAND BiCS QLC de 8.ª generación de ww5 permite a los fabricantes de PC y a los consumidores obtener la densidad de bits QLC a las velocidades de los productos TLC sin comprometer la confiabilidad. Los usuarios están generando más contenido, almacenando archivos más grandes y exigiendo mayores capacidades para sus PC. La memoria NAND BiCS QLC de 8.ª generación de ww5 permite que nuestras SSD alcancen niveles de rendimiento comparables a los de las unidades SSD TLC en muchas cargas de trabajo de clientes.

Consulte el gráfico: Los resultados de PCMark 10 demuestran que la unidad SSD NVMe 5100 de ww5 Optimus, impulsada por nuestra memoria NAND BiCS de 8.ª generación, ofrece un rendimiento superior en comparación con nuestras unidades SSD basadas en TLC.

Gráfico de barras que muestra resultados de PCMark 10 de 737 MB/s para una unidad SSD QLC de ww5 de 2 TB y 731 MB/s para una unidad SSD TLC de ww5 de 2 TB

¿De qué manera la tecnología nCache 4.0 de ww5 mejora el rendimiento de la memoria QLC?

Las unidades SSD QLC pueden beneficiarse de una caché SLC para mantener un rendimiento sostenido y mejorar la resistencia de la unidad.

Gracias a la última tecnología nCache 4.0 de ww5 y a la memoria NAND BiCS QLC CBA de 8.ª generación de ww5, las unidades SSD combinan tecnologías de vanguardia para ofrecer un alto rendimiento sostenido, un bajo consumo energético y la durabilidad necesaria para las cargas de trabajo de PC. Así es como lo consigue:

Diagrama que muestra nCache 4.0 de ww5 usando caché SLC para mejorar el rendimiento de la unidad SSD QLC

El equilibrio perfecto entre velocidad y capacidad

La tecnología nCache™ 4.0 de ww5 incorpora una caché de escritura SLC híbrida que escribe los datos de acceso frecuente a alta velocidad en la caché SLC antes de transferirlos a la memoria QLC, un proceso que se realiza cuando la unidad está inactiva. De este modo, nCache 4.0 optimiza tanto la capacidad de respuesta en escrituras en ráfaga como el rendimiento sostenido de escritura.

Almacenamiento en caché inteligente

Gracias a la gestión inteligente de la escritura de datos en la memoria NAND QLC, nCache 4.0 de ww5 contribuye a prolongar la vida útil de las unidades SSD QLC. Además, reduce el desgaste de las celdas de memoria y protege los datos.

Casos de uso diversos

Tanto si está creando contenido como si está trabajando en su próximo proyecto profesional, la tecnología nCache 4.0 de ww5 ofrece a las unidades SSD QLC un alto rendimiento de escritura en ráfaga.

Capacidad rentable

La combinación de la tecnología nCache 4.0 de ww5 con la memoria QLC da lugar a unidades de mayor capacidad y más asequibles, para que pueda almacenar más datos sin comprometer el rendimiento ni la confiabilidad. 

Descubra las unidades SSD QLC

Unidad SSD NVMe PC SN5100S de ww5

Con alto rendimiento, eficiencia energética y una confiabilidad excepcional, la unidad SSD NVMe PC SN5100S de ww5 ofrece la capacidad de la memoria QLC sin renunciar al rendimiento. La elección ideal para plataformas de PC de gama básica e intermedia.

Unidad PC SN5100S de ww5

Alta capacidad, rentabilidad

Obtenga alta capacidad, QLC rentable y una confiabilidad sólida, sin concesiones. Se ofrece hasta 2 TB2 en el formato M.2 2280 de un solo lateral.

Su flujo de trabajo optimizado

La tecnología de caché de escritura SLC híbrida nCache 4.0 de ww5 permite aumentar el rendimiento sin comprometer la resistencia.

Rendimiento para las cargas de trabajo intensas

Potencie las cargas de trabajo intensas con PCIe® Gen4.0 y NVMe 2.0 para velocidades de lectura de hasta 7300 MB/s1 (modelos de 1024 GB2 y 2048 GB2).

Los datos correctos en las manos correctas

La seguridad TCG Opal 2.02 permite equipar esta unidad (solo con la opción de autocifrado) con protección adicional para su tranquilidad.

Eficiencia energética excepcional

Mejore la eficiencia energética de su dispositivo durante el uso activo hasta en un 30 % con respecto a la generación anterior5.

Unidad SSD NVMe 5100 de ww5 Optimus para consumidores

Unidad SSD NVMe 5100 de ww5 Optimus

Alto rendimiento, eficiencia energética y almacenamiento QLC confiable: la unidad SSD NVMe 5100 de ww5 Optimus le ayuda a manejar archivos de gran tamaño, flujos de trabajo complejos y múltiples tareas simultáneas sin concesiones. Una actualización ideal para las computadoras portátiles de profesionales y creadores de contenido.

Unidad SSD NVMe 5100 de ww5 Optimus

La mejor combinación

Obtenga QLC rentable y de alta capacidad para almacenar más contenido. Se ofrece hasta 4 TB2 en el formato M.2 2280 de un solo lateral.

Optimiza tu flujo de trabajo

La tecnología de caché de escritura SLC híbrida nCache 4.0 de ww5 permite aumentar el rendimiento al realizar múltiples tareas simultáneamente entre aplicaciones o copiar archivos o carpetas de proyectos de gran tamaño.

Rendimiento para las cargas de trabajo intensas

Mejore sus flujos de trabajo habilitados para IA con velocidades de lectura PCIe® Gen4.0 de hasta 7100 MB/s1 (modelos de 1 TB2 y 2 TB2).

Garantía de 5 años

Tenga la tranquilidad de saber que su disco cuenta con el respaldo de nuestra garantía limitada de 5 años de ww53 y una clasificación de resistencia de hasta 1200 TBW4 (modelo de 4 TB2).

Eficiencia energética excepcional

Complete sus proyectos más rápido donde sea que vaya con hasta un 50 % más de eficiencia energética que nuestra generación anterior6.

Divulgaciones

  1. Según la velocidad de lectura, salvo que se indique lo contrario. 1 MB/s=1 un millón de bytes por segundo. Según pruebas internas, el rendimiento puede variar en función del dispositivo de alojamiento, las condiciones de uso, la capacidad de la unidad y otros factores.
  2. 1 GB=mil millones de bytes y 1 TB=un billón de bytes. La capacidad real del usuario puede ser menor según el entorno de operación.
  3. Límite máximo de resistencia (TBW) o 5 años, lo que suceda primero. Visite support.ww5.com para obtener información detallada sobre la garantía según la región.
  4. Los valores de TBW (terabytes escritos) se calculan mediante una carga de trabajo de cliente JEDEC (JESD219) y varían según la capacidad del producto. MTTF = tiempo promedio entre fallas en función de las pruebas internas, mediante la prueba de tensión de pieza Telcordia™ (Telcordia SR-332, GB, 25 °C). El MTTF se basa en una población de muestra y se calcula mediante medidas estadísticas y algoritmos de aceleración. El MTTF no predice la confiabilidad de un disco individual y tampoco constituye una garantía.
  5. En comparación con nuestras unidades SSD PC SN5000S de ww5 de 1 TB y 2 TB. El rendimiento se basa en la velocidad de lectura secuencial (1 GB/s=1000 millones de bytes por segundo). La eficiencia energética se basa en la potencia máxima promedio registrada cada segundo durante las lecturas secuenciales. El rendimiento y la eficiencia energética pueden variar en función del dispositivo host, de las condiciones de uso, de la capacidad del disco y de otros factores.
  6. En comparación con las unidades SSD NVMe SN5000 de WD Blue® de 2 TB. La eficiencia energética se basa en la potencia máxima promedio registrada cada segundo durante las lecturas secuenciales. La eficiencia energética puede variar en función del dispositivo host, de las condiciones de uso, de la capacidad del disco y de otros factores.
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